naponapo

　NANDフラッシュメモリの発明企業が東芝であることは、良く知られている。DRAMを超える記憶密度と記憶容量を実現しながら、データを電気的に書き換え可能にしたメモリだ。およそ30年前の1987年12月に、国際学会IEDMで、NANDフラッシュメモリのメモリセルがはじめて発表された(IEDM1987、講演番号25.6)。

　NANDフラッシュメモリの高密度化技術である多値記憶技術(複数のビットを1個のメモリセルに記憶する技術)をはじめて商品化したのも東芝である。およそ16年前の2001年11月12日に東芝は、2bit/セル技術(MLC技術)による1GbitのNANDフラッシュメモリを商品化したと発表した。

　さらには、メモリセルストリング(メモリセルの連なり)を垂直に立てることでNANDフラッシュメモリの記憶密度を著しく向上させる3D NAND技術をはじめてシリコンダイにして国際学会で発表したのも東芝だ。11年近く前の2007年6月に国際学会VLSI技術シンポジウムで、3D NAND技術によるメモリセルをはじめて発表した(VLSI 2007、講演番号2-2)。

　そして多値記憶技術の究極と言える、4bit/セル技術(QLC技術)を開発して大容量シリコンダイをはじめて国際学会で発表したのも東芝なのだ。約9年前の2009年2月に国際学会ISSCCで、QLC技術による64GbitのNANDフラッシュメモリをSanDiskと共同で発表した(米SanDiskと東芝が世界最大容量のNANDフラッシュを共同開発参照)。NANDフラッシュメモリの技術開発は、ほぼつねに東芝が牽引してきた。技術開発における東芝の存在は、かぎりなく大きい。

　ところが、NANDフラッシュメモリの事業(ビジネス)となると、事情が違ってくる。半導体メモリの雄、Samsung Electronicsがずっと、トップシェアを握り続けてきた。そもそものはじまりは1990年代に、東芝がセカンドソースを確保するためにSamsungにNANDフラッシュメモリ技術をライセンス供与したことだ(ライセンス供与で東芝とSamsungが提携したのは1992年)。

　1990年代後半から2000年代前半にNANDフラッシュメモリの市場が立ち上がると、トップシェアを奪ったのは東芝ではなく、Samsungだった。このため現在でも、東芝からSamsungへの技術ライセンス供与は失敗だったとする声が、半導体メモリのコミュニティには存在する。

今まで見たシルバー川柳で一番パンチが効いてたのは

「救急車 我を轢いたら 霊柩車 (東京都 90歳男性)」

99-90=09という作り込みに感動した